Todas as topologias exigem interruptores de alimentação de comutação rápida. O estágio de reforço e o estágio de conversão de ponte completa requerem diodos de comutação rápida. Além disso, switches otimizados para conversão de baixa frequência (100 Hz) também são úteis para essas topologias. Para qualquer tecnologia de silício específica, os interruptores otimizados para comutação rápida apresentam perdas de condução mais altas do que os interruptores otimizados para aplicações de comutação de baixa frequência.

O estágio boost é geralmente projetado como um conversor de modo de corrente contínua. De acordo com a quantidade de módulos solares do array utilizado pelo inversor, escolha se deseja utilizar dispositivos de 600V ou 1200V. As duas opções de interruptores de energia são MOSFET e IGBT. De modo geral, o MOSFET pode funcionar em uma frequência de comutação mais alta que o IGBT. Além disso, a influência do diodo corporal deve sempre ser considerada: não há problema no caso do estágio boost, pois o diodo corporal não conduz no modo normal de operação. A perda de condução de um MOSFET pode ser calculada com base na resistência de condução RDS(ON). Para uma determinada série de MOSFET, isso é proporcional à área efetiva da matriz. Quando a tensão nominal é alterada de 600 V para 1200 V, a perda de condução do MOSFET aumentará bastante. Portanto, mesmo que o RDS(ON) nominal seja equivalente, o MOSFET de 1200V não está disponível ou o preço é muito alto.

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