Outra opção que vale a pena discutir é usar dispositivos FGH30N60LSD. É um IGBT de 30A/600V com tensão de saturação VCE(SAT) de apenas 1,1V. Sua perda de desligamento EOFF é muito alta, chegando a 10mJ, por isso é adequado apenas para conversão de baixa frequência. A resistência RDS(ON) de um MOSFET de 50 miliohms na temperatura operacional é de 100 miliohms. Portanto, em 11A, possui o mesmo VDS do VCE (SAT) do IGBT. Como este IGBT é baseado em uma tecnologia de decomposição mais antiga, o VCE(SAT) não muda muito com a temperatura. Portanto, este IGBT pode reduzir a perda global na ponte de saída, aumentando assim a eficiência global do inversor. FGH30N60LSD IGBT alterna de uma tecnologia de conversão de energia para outra topologia dedicada a cada meio ciclo também é muito útil. O IGBT é usado como uma chave topológica aqui. Na conversão mais rápida, são utilizados dispositivos de superjunção convencionais e de recuperação rápida. Para a topologia dedicada de 1200V e estrutura de ponte completa, o referido FGL40N120AND é muito adequado para a comutação do novo inversor solar de alta frequência. Quando uma tecnologia especial requer diodos, os diodos Stealth II, Hyperfast™ II e os diodos de carbono-silício são boas soluções.

Por favor, dê uma olhada e nos entenda melhor:

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